Este articulo es el proyeto final de mi clase de EE339 (Solid State Electronics). Tenemos que leer 4 articulos de investigacion que hayan sido publicados por maestros de la Universidad de Texas en Austin en el area de los transistores MOSFET.
El trabajo consiste en escribir una resena sobre cada uno de los articulos. La resena debe mencionar el proposito, los metodos experimentales y los resultados de la investigacion. Tambien debemos mencionar como dicha investigacion afecta el rendimiento de los MOSFET, cuales son las promesas de dicha investigacion, y que obstaculos se deben superar para lograr dichas promesas.
Por lo pronto, ya elegi dos articulos del profesor Kwong. Uno habla sobre el uso de materiales dielectricos con “high-K” (alto coeficiente dielectrico) para poner como insulador entre el gate (la compuerta) y el susbtrato de silicio.
El otro articulo habla sobre la movilidad de los electrones de germanio en silicio tensado (strained-Si) en MOSFETs con cuerpo ultra-delgado. Todavia no lo leo asi que no se onda.